NVH4L080N120SC1 >
NVH4L080N120SC1
onsemi
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
1620 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 1200 V 29A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Richiedi preventivo (Spedisce domani)
*Quantità
Minimo 1
NVH4L080N120SC1 onsemi
5.0 / 5.0 - (362 Valutazioni)

NVH4L080N120SC1

Panoramica del prodotto

12938561

Numero di Parte

NVH4L080N120SC1-DG

Produttore

onsemi
NVH4L080N120SC1

Descrizione

SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4

Inventario

1620 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 1200 V 29A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Quantità
Minimo 1

Acquisto e richiesta

Assicurazione Qualità

365 - Garanzia di qualità giornaliera - Ogni pezzo completamente garantito.

Rimbordo o cambio entro 90 giorni - Parti difettose? Nessun problema.

Scorte Limitate, Ordina Ora - Ottieni pezzi affidabili senza preoccupazioni.

Spedizione Internazionale & Imballaggio Sicuro

Consegna in tutto il mondo in 3-5 giorni lavorativi

Imballaggio Antistatico ESD al 100%

Monitoraggio in tempo reale per ogni ordine

Pagamento Sicuro e Flessibile

Carta di Credito, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Bonifico Bancario (T/T) e altro ancora

Tutti i pagamenti sono criptati per la sicurezza

Disponibile (Tutti i prezzi sono in USD)
  • QTA Prezzo Obiettivo Prezzo Totale
  • 1 14.3843 14.3843
  • 10 13.7193 137.1930
  • 45 12.5650 565.4250
  • 90 11.5585 1040.2650
Prezzo migliore tramite RFQ online.
Richiedi preventivo (Spedisce domani)
* Quantità
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore

NVH4L080N120SC1 Specifiche Tecniche

Categoria Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore onsemi

Imballaggio Tube

Serie -

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)

Tensione da drain a source (Vdss) 1200 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 29A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V

vgs(th) (massimo) @ id 4.3V @ 5mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 20 V

Vgs (massimo) +25V, -15V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 1670 pF @ 800 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)

Grado Automotive

Qualificazione AEC-Q101

Tipo di montaggio Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-4L

Pacchetto / Custodia TO-247-4

Numero di prodotto di base NVH4L080

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

NVH4L080N120SC1

Scheda Dati HTML

NVH4L080N120SC1-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Not Applicable
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30
Altri nomi
488-NVH4L080N120SC1

Publish Evalution

* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

Assicurazione Qualità (QC)

DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.

Assicurazione Qualità
Prevenzione di contraffazione e difetti

Prevenzione di contraffazione e difetti

Screening completo per identificare componenti contraffatti, ricondizionati o difettosi, garantendo che vengano consegnati solo pezzi autentici e conformi.

Ispezione visiva e di confezionamento

Ispezione visiva e di confezionamento

Verifica delle prestazioni elettriche

Verifica dell'aspetto dei componenti, marcature, codici di data, integrità dell'imballaggio e coerenza delle etichette per garantire tracciabilità e conformità.

Valutazione della vita e dell'affidabilità

Certificazione DiGi
Blog e Post
NVH4L080N120SC1 CAD Models
productDetail
Please log in first.
Nessun account ancora? Registrati