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NTTFS6H880NLTAG
onsemi
MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
1000300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 80 V 6.6A (Ta), 22A (Tc) 3.1W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
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NTTFS6H880NLTAG
Panoramica del prodotto
12938551
Numero di Parte
NTTFS6H880NLTAG-DGProduttore
onsemi
NTTFS6H880NLTAG
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFNInventario
1000300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 80 V 6.6A (Ta), 22A (Tc) 3.1W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
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NTTFS6H880NLTAG Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6.6A (Ta), 22A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 20µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
431 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-WDFN (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia
8-PowerWDFN
Numero di prodotto di base
NTTFS6
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
NTTFS6H880NL
Scheda Dati HTML
NTTFS6H880NLTAG-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,500
Altri nomi
488-NTTFS6H880NLTAGCT
488-NTTFS6H880NLTAGDKR
488-NTTFS6H880NLTAGTR
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-channel NTTFS6H880NLTAG?
Questo MOSFET N-channel supporta una tensione drain-source di 80V, una corrente continua massima di 6,6A (a 25°C) e una corrente di picco di 22A. Offre una bassa Rds On (29mΩ a 5A, 10V), una elevata dissipazione di potenza ed è adatto per applicazioni di montaggio superficiale grazie al suo package WDFN da 8 pin.
Il MOSFET NTTFS6H880NLTAG è compatibile con le tensioni di circuito comuni?
Sì, questo MOSFET è progettato per funzionare con tensioni di pilotaggio tra 4,5V e 10V, rendendolo compatibile con circuiti logici standard e applicazioni di gestione dell'alimentazione fino a 80V.
Quali sono le applicazioni tipiche di questo MOSFET N-channel a montaggio superficiale?
Questo MOSFET è ideale per commutazione di potenza, controllo motori, convertitori DC-DC e altre applicazioni che richiedono alta efficienza e commutazione rapida in un package compatto a montaggio superficiale.
Quali sono i vantaggi di scegliere il MOSFET NTTFS6H880NLTAG di onsemi?
La sua bassa Rds On garantisce perdite di conduzione ridotte, le capacità di dissipazione di potenza elevate migliorano l'affidabilità e la conformità RoHS3 lo rende adatto a progetti rispettosi dell'ambiente. La sua compattezza con package WDFN da 8 pin semplifica inoltre l'assemblaggio.
Come posso acquistare il MOSFET NTTFS6H880NLTAG e qual è la garanzia offerta?
Il MOSFET è disponibile in grandi quantità presso fornitori autorizzati, con scorte facilmente reperibili. In genere, onsemi offre garanzie standard sui propri componenti, e l'assistenza clienti è disponibile per supporto tecnico e servizi post-vendita.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
NTTFS6H880NLTAG CAD Models
onsemi NTTFS6H880NLTAG PCB symbols & footprints
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