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NTMTS002N10MCTXG
onsemi
PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
360400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 45A (Ta), 236A (Tc) 9W (Ta), 255W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
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NTMTS002N10MCTXG
Panoramica del prodotto
12991752
Numero di Parte
NTMTS002N10MCTXG-DGProduttore
onsemi
NTMTS002N10MCTXG
Descrizione
PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 SInventario
360400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 45A (Ta), 236A (Tc) 9W (Ta), 255W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
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NTMTS002N10MCTXG Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
45A (Ta), 236A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 520µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6305 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
9W (Ta), 255W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-DFNW (8.3x8.4)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
NTMTS002
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
NTMTS002N10MC
Scheda Dati HTML
NTMTS002N10MCTXG-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2832-NTMTS002N10MCTXG
488-NTMTS002N10MCTXGTR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
The staff at DiGi Electronics are friendly, professional, and highly competent.
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET onsemi NTMTS002N10MCTXG?
Il MOSFET onsemi NTMTS002N10MCTXG è un componente a canale N da 100V con una bassa Rds On di 2,3 mΩ, in grado di gestire una corrente continua di 45A, ideale per applicazioni di commutazione ad alta potenza. Presenta un package montato su superficie 8-DFNW e funziona in un intervallo di temperature da -55°C a 175°C.
Il MOSFET NTMTS002N10MCTXG è compatibile con circuiti elettronici standard?
Sì, questo MOSFET è progettato per un’integrazione semplice in diversi schemi circuitali, con una tensione di gate massima di ±20V e tensioni di pilotaggio compatibili di 6V e 10V. È adatto per applicazioni ad alta corrente e alta efficienza.
Quali sono gli usi principali del MOSFET NTMTS002N10MCTXG?
Questo MOSFET è ideale per la gestione dell’energia, il controllo dei motori, i converters DC-DC e altre applicazioni di commutazione ad alta potenza, dove è fondamentale avere un basso Rds On e una elevata capacità di corrente.
Come migliora il tipo di package del NTMTS002N10MCTXG le sue prestazioni?
Il package montato su superficie 8-DFNW garantisce un buon isolamento termico e una montabilità affidabile in spazi ridotti, supportando una dissipazione di potenza elevata fino a 255W a temperatura del case.
Quale supporto post-vendita e disponibilità a magazzino offre questo prodotto?
Il NTMTS002N10MCTXG è in produzione attiva con oltre 360.000 unità disponibili in magazzino. Essendo un produttore affidabile, onsemi fornisce supporto affidabile e garanzia di qualità per questo prodotto.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
NTMTS002N10MCTXG CAD Models
onsemi NTMTS002N10MCTXG PCB symbols & footprints
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