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NTH4L040N120SC1
onsemi
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
9738 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L040N120SC1
Panoramica del prodotto
12938497
Numero di Parte
NTH4L040N120SC1-DGProduttore
onsemi
NTH4L040N120SC1
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4Inventario
9738 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Quantità
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NTH4L040N120SC1 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 35A, 20V
vgs(th) (massimo) @ id
4.3V @ 10mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
+25V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1762 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
319W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-4L
Pacchetto / Custodia
TO-247-4
Numero di prodotto di base
NTH4L040
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
NTH4L040N120SC1
Scheda Dati HTML
NTH4L040N120SC1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
488-NTH4L040N120SC1
2156-NTH4L040N120SC1
Reviews
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dicembre 02, 2025
商品の発送が早く、すぐに受け取ることができました。品質も素晴らしいです。
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche e i vantaggi del MOSFET NTH4L040N120SC1 SiCFET?
Il NTH4L040N120SC1 presenta una tensione nominale elevata di 1200V e una corrente di drain continua di 58A, rendendolo adatto per applicazioni ad alta potenza. La sua tecnologia SiCFET garantisce commutazione efficiente e una bassa Rds On, riducendo le perdite di energia e la generazione di calore.
Il MOSFET NTH4L040N120SC1 è compatibile con i circuiti elettronici comuni?
Sì, questo MOSFET a canale N è progettato con una Vgs(max) di +25V e -15V, rendendolo compatibile con i segnali di controllo standard dei circuiti elettronici. Il suo package through-hole TO-247-4L consente un'integrazione semplice in diverse configurazioni di montaggio.
Quali sono le applicazioni tipiche del MOSFET NTH4L040N120SC1?
Questo MOSFET SiC ad alta tensione è ideale per alimentatori, azionamenti di motori e applicazioni di commutazione ad alta tensione, dove sono richiesti prestazioni efficienti e affidabili.
Come migliora la prestazione termica del NTH4L040N120SC1 il design del dispositivo?
Con una dissipazione di potenza massima di 319W a 25°C e un intervallo di temperature operative da -55°C a 175°C, questo MOSFET offre un'eccellente performance termica, consentendo un funzionamento robusto anche in ambienti impegnativi.
Il NTH4L040N120SC1 include opzioni di garanzia o supporto post-vendita?
In quanto prodotto originale disponibile in stock, è fornito da un produttore affidabile, onsemi. Per dettagli specifici su garanzia o supporto post-vendita, si consiglia di contattare direttamente il fornitore o i distributori autorizzati.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
NTH4L040N120SC1 CAD Models
onsemi NTH4L040N120SC1 PCB symbols & footprints
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