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onsemi
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
1411 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
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FCH043N60

Panoramica del prodotto

12839481

Numero di Parte

FCH043N60-DG

Produttore

onsemi
FCH043N60

Descrizione

MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3

Inventario

1411 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
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FCH043N60 Specifiche Tecniche

Categoria Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore onsemi

Imballaggio -

Serie SuperFET® II

Stato del prodotto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 600 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 75A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 38A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 3.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V

Vgs (massimo) ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 12225 pF @ 400 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 592W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3

Pacchetto / Custodia TO-247-3

Numero di prodotto di base FCH043

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

FCH043N60

Scheda Dati HTML

FCH043N60-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Not Applicable
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30
Altri nomi
ONSONSFCH043N60
2156-FCH043N60-OS

Parti alternative

NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
SIHG64N65E-GE3
Vishay Siliconix
1322
SIHG64N65E-GE3-DG
7.5434
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)

Quali sono le caratteristiche principali e le specifiche del MOSFET FCH043N60 di onsemi?

Il FCH043N60 è un MOSFET a canale N con una tensione di questione di 600V e una corrente di drain continua di 75A a 25°C. Presenta un Rds On basso di 43mΩ a 38A e una Vgs di 10V, adatto per applicazioni di alimentazione ad alta tensione. Il dispositivo è montato tramite foro passante in un package TO-247-3 e supporta temperature operative da -55°C a 150°C.

Il MOSFET FCH043N60 di onsemi è adatto per applicazioni di commutazione ad alta tensione?

Sì, il FCH043N60 è progettato per la commutazione ad alta tensione, con una tensione drain-source di 600V e una capacità di dissipazione di potenza fino a 592W a temperatura del case, rendendolo ideale per circuiti di conversione di potenza e inverter.

Il MOSFET FCH043N60 è compatibile con le tensioni di pilotaggio Gate standard?

Sì, questo MOSFET funziona con una tensione massima gate-source di ±20V e una tensione di pilotaggio raccomandata di 10V, garantendo prestazioni affidabili di commutazione in vari sistemi di elettronica di potenza.

Quali sono i vantaggi di utilizzare i MOSFET della serie SuperFET® II come il FCH043N60?

I MOSFET della serie SuperFET® II offrono un Rds On basso, una tolleranza elevata alla tensione e alte capacità di dissipazione di potenza, migliorando l’efficienza e le prestazioni termiche nelle applicazioni di commutazione di potenza, contribuendo a ridurre le perdite di sistema.

Dove posso trovare supporto o acquistare il MOSFET FCH043N60 e cosa sapere sulla sua disponibilità?

Il FCH043N60 è disponibile con 1.638 unità in stock ed è adatto per varie applicazioni che richiedono MOSFET ad alta tensione. Pur essendo elencato come obsoleto, può essere acquistato presso distributori autorizzati e si possono considerare alternative come SIHG64N65E-GE3 o IXTQ18N60P.

Assicurazione Qualità (QC)

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