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PSMN2R3-100SSEJ
Nexperia USA Inc.
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
120400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 255A (Ta) 341W (Ta) Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
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PSMN2R3-100SSEJ
Panoramica del prodotto
12993034
Numero di Parte
PSMN2R3-100SSEJ-DGProduttore
Nexperia USA Inc.
PSMN2R3-100SSEJ
Descrizione
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFEInventario
120400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 255A (Ta) 341W (Ta) Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
Quantità
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PSMN2R3-100SSEJ Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
255A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
17200 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
341W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
LFPAK88 (SOT1235)
Pacchetto / Custodia
SOT-1235
Numero di prodotto di base
PSMN2R3
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
PSMN2R3-100SSE
Scheda Dati HTML
PSMN2R3-100SSEJ-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
934661573118
5202-PSMN2R3-100SSEJTR
1727-PSMN2R3-100SSEJCT
1727-PSMN2R3-100SSEJDKR
1727-PSMN2R3-100SSEJTR
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Assicurazione Qualità (QC)
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PSMN2R3-100SSEJ CAD Models
Nexperia USA Inc. PSMN2R3-100SSEJ PCB symbols & footprints
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