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LND150N3-G
Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
6391 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
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LND150N3-G
Panoramica del prodotto
12815215
Numero di Parte
LND150N3-G-DGProduttore
Microchip Technology
LND150N3-G
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3Inventario
6391 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Quantità
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LND150N3-G Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Bag
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
30mA (Tj)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (massimo) @ id
-
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
10 pF @ 25 V
Funzione FET
Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)
740mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92-3
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numero di prodotto di base
LND150
Scheda dati e documenti
Schede dati
Scarica LND150N3-G Specifiche del prodotto (PDF)
Schede tecniche
LND150
Scheda Dati HTML
LND150N3-G-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET LND150N3-G?
Il LND150N3-G è un MOSFET a canale N con una tensione massima drain-source di 500V e una corrente continua di drain di 30 mA, adatto per applicazioni ad alta tensione. Presenta un package in foro passante TO-92-3 e funziona in un intervallo di temperatura da -55°C a 150°C.
Il MOSFET LND150N3-G è compatibile con il mio circuito elettronico?
Sì, il LND150N3-G è progettato per il montaggio a foro passante ed è compatibile con vari circuiti che richiedono commutazioni ad alta tensione, grazie alla sua tensione drain-source di 500V e alle caratteristiche di bassa Rds On.
Quali sono gli usi tipici di questo MOSFET a canale N di microchip-technology?
Questo MOSFET è ideale per commutazioni ad alta tensione, gestione dell'energia e applicazioni di commutazione elettronica dove affidabilità e capacità di gestire alte tensioni sono fondamentali.
Come si comporta il MOSFET LND150N3-G in termini di dissipazione di potenza e intervallo di temperatura?
Il LND150N3-G può dissipare fino a 740 mW di energia e funziona in sicurezza in un intervallo di temperatura da -55°C a 150°C, rendendolo adatto per ambienti impegnativi.
Qual è lo stato di acquisto e supporto del MOSFET LND150N3-G?
Il LND150N3-G è disponibile in magazzino con oltre 5.200 unità e rispetta le normative RoHS3, garantendo sicurezza ambientale e qualità per i tuoi progetti.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
LND150N3-G CAD Models
Microchip Technology LND150N3-G PCB symbols & footprints
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