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LND150K1-G
Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
689288 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 500 V 13mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
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LND150K1-G
Panoramica del prodotto
12797150
Numero di Parte
LND150K1-G-DGProduttore
Microchip Technology
LND150K1-G
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3Inventario
689288 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 500 V 13mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
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LND150K1-G Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
13mA (Tj)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (massimo) @ id
-
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
10 pF @ 25 V
Funzione FET
Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
LND150
Scheda dati e documenti
Schede dati
Scarica LND150K1-G Specifiche del prodotto (PDF)
Progettazione/specifiche PCN
Die Attach Material Update 22/Jun/2015
Schede tecniche
LND150
Assemblaggio/Origine PCN
Fab Site Addition 14/Aug/2014
Scheda Dati HTML
LND150K1-G-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
LND150K1-GDKR
LND150K1-GCT
LND150K1-G-DG
LND150K1-GTR
Reviews
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-channel LND150K1-G?
Il LND150K1-G è un MOSFET N-channel a montaggio superficiale con una tensione drain-source di 500V, una corrente di drain continua di 13mA e bassi valori di Rds On. Presenta una configurazione a modalità di deplezione e funziona entro un intervallo di temperatura da -55°C a 150°C.
Il MOSFET LND150K1-G è adatto per applicazioni ad alta tensione?
Sì, questo MOSFET è progettato per applicazioni ad alta tensione, con una tensione drain-source fino a 500V, rendendolo ideale per commutazione di potenza, regolazione e altre necessità di circuiti ad alta tensione.
Quali sono i principali vantaggi nell'utilizzo del LND150K1-G nei circuiti elettronici?
Il LND150K1-G offre un'alta stabilità di tensione, basse dispersioni di potenza e la comodità del montaggio superficiale. La sua funzionalità a modalità di deplezione permette comportamenti di commutazione specifici, rendendolo una scelta affidabile per diversi dispositivi elettronici.
Il LND150K1-G è compatibile con i comuni schemi di PCB a montaggio superficiale?
Sì, il LND150K1-G utilizza un package SOT-23-3, molto compatibile con i processi standard di produzione e assemblaggio di PCB a montaggio superficiale.
Il LND150K1-G rispetta gli standard ambientali e di sicurezza?
Sì, questo MOSFET è conforme alle norme RoHS3, non influenzato da REACH e ha un livello di sensibilità all'umidità MSL 1, garantendo il rispetto delle attuali regolamentazioni ambientali e di sicurezza.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
LND150K1-G CAD Models
Microchip Technology LND150K1-G PCB symbols & footprints
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