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2N7002-G
Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
2300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 60 V 115mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
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2N7002-G
Panoramica del prodotto
12788553
Numero di Parte
2N7002-G-DGProduttore
Microchip Technology
2N7002-G
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23Inventario
2300 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 60 V 115mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Quantità
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2N7002-G Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
115mA (Tj)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23 (TO-236AB)
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
2N7002
Scheda dati e documenti
Schede dati
Scarica 2N7002-G Specifiche del prodotto (PDF)
Progettazione/specifiche PCN
Die Attach Material Update 22/Jun/2015
Schede tecniche
2N7002
Assemblaggio/Origine PCN
Fab Site Addition 14/Aug/2014
Scheda Dati HTML
2N7002-G-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2N7002-GMCTR
2N7002-GMC-DG
2N7002-GMC
2N7002-GMCCT
2N7002-GMCDKR
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Assicurazione Qualità (QC)
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2N7002-G CAD Models
Microchip Technology 2N7002-G PCB symbols & footprints
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