Prevenzione di contraffazione e difetti
Ispezione visiva e di confezionamento
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IS62WV25616EBLL-45B2LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
4Mb, Low Power/Power Saver,Async
1409 Pz Nuovo Originale Disponibile
SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mbit Parallel 45 ns 48-TFBGA (6x8)
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IS62WV25616EBLL-45B2LI
Panoramica del prodotto
11122118
Numero di Parte
IS62WV25616EBLL-45B2LI-DGProduttore
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS62WV25616EBLL-45B2LI
Descrizione
4Mb, Low Power/Power Saver,AsyncInventario
1409 Pz Nuovo Originale Disponibile
SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mbit Parallel 45 ns 48-TFBGA (6x8)
Quantità
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IS62WV25616EBLL-45B2LI Specifiche Tecniche
Categoria
Memoria, Memoria
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di memoria
Volatile
Formato di memoria
SRAM
Tecnologia
SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria
4Mbit
Organizzazione della memoria
256K x 16
Interfaccia di memoria
Parallel
Scrivi tempo di ciclo - Word, pagina
45ns
Tempo di accesso
45 ns
Tensione - Alimentazione
2.2V ~ 3.6V
Temperatura
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
48-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore
48-TFBGA (6x8)
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IS62WV25616ExLL, IS65WV25616ExLL
Scheda Dati HTML
IS62WV25616EBLL-45B2LI-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
480
Altri nomi
706-IS62WV25616EBLL-45B2LI
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
Their commitment to quality makes DiGi Electronics my go-to brand.
dicembre 02, 2025
I am grateful for their friendly and efficient service.
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le specifiche principali del chip SRAM IS62WV25616EBLL-45B2LI?
L’IS62WV25616EBLL-45B2LI è una memoria SRAM asincrona da 4Mb con organizzazione 256K x 16, con un tempo di accesso di 45ns, alimentata da una tensione compresa tra 2,2V e 3,6V. Presenta un package a montaggio superficiale 48-TFBGA, ideale per applicazioni elettroniche.
La memoria SRAM IS62WV25616EBLL-45B2LI è compatibile con diversi schemi circuitali?
Sì, questa SRAM utilizza un’interfaccia di memoria parallela ed è progettata per un’integrazione semplice in vari circuiti elettronici, soprattutto in quelli che richiedono basso consumo energetico e tempi di accesso rapidi.
Quali sono gli utilizzi e le applicazioni tipiche di questa memoria SRAM asincrona da 4Mb?
Questa SRAM asincrona da 4Mb è ideale per buffering ad alta velocità, memoria cache e archiviazione di dati in applicazioni come sistemi embedded, dispositivi di comunicazione e elettronica portatile che necessitano di accesso rapido e affidabile ai dati.
In che modo la funzione di basso consumo energetico può beneficiare il mio progetto utilizzando questa SRAM?
La funzione di basso consumo e risparmio energetico aiuta a ridurre il consumo di energia, rendendola adatta a dispositivi alimentati a batteria e sistemi elettronici a risparmio energetico, senza compromettere le prestazioni.
Quale garanzia e supporto sono disponibili per il prodotto SRAM IS62WV25616EBLL-45B2LI?
La SRAM viene fornita come prodotto nuovo e originale, con disponibilità immediata di magazzino. Per dettagli su garanzia e supporto tecnico, si consiglia di contattare il fornitore o l’agente autorizzato per garantire un funzionamento affidabile e un servizio post-vendita efficiente.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
IS62WV25616EBLL-45B2LI CAD Models
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-45B2LI PCB symbols & footprints
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