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IRF100P218AKMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
2100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 209A (Tc) 3.8W (Ta), 556W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
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IRF100P218AKMA1
Panoramica del prodotto
12949151
Numero di Parte
IRF100P218AKMA1-DGProduttore
Infineon Technologies
IRF100P218AKMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 209A TO247ACInventario
2100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 209A (Tc) 3.8W (Ta), 556W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
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IRF100P218AKMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
StrongIRFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
209A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.28mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.8V @ 278µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
412 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
24000 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.8W (Ta), 556W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IRF100P218
Scheda Dati HTML
IRF100P218AKMA1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
25
Altri nomi
SP005537804
448-IRF100P218AKMA1
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IRF100P218AKMA1 CAD Models
Infineon Technologies IRF100P218AKMA1 PCB symbols & footprints
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