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IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
OPTIMOS 5 POWER MOSFET
90022 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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Panoramica del prodotto
12974925
Numero di Parte
IPT039N15N5ATMA1-DGProduttore
Infineon Technologies
IPT039N15N5ATMA1
Descrizione
OPTIMOS 5 POWER MOSFETInventario
90022 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT039N15N5ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
21A (Ta), 190A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.6V @ 257µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7700 pF @ 75 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.8W (Ta), 319W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-HSOF-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerSFN
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IPT039N15N5
Scheda Dati HTML
IPT039N15N5ATMA1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
448-IPT039N15N5ATMA1DKR
SP005597138
448-IPT039N15N5ATMA1TR
448-IPT039N15N5ATMA1CT
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del Power MOSFET Infineon OptiMOS™ 5?
Il Power MOSFET Infineon OptiMOS™ 5 è un MOSFET N-channel ad alte prestazioni con una tensione drain-to-source di 150V e una corrente di drain continua di 21A a 25°C, offrendo bassa Rds(On) e un'eccellente dissipazione di potenza per applicazioni di commutazione efficienti.
Il Power MOSFET Infineon OptiMOS™ 5 è compatibile con design a montaggio superficiale?
Sì, questo MOSFET è progettato con un package PG-HSOF-8 a montaggio superficiale, rendendolo adatto per design PCB compatti e ad alta densità comunemente utilizzati nell'elettronica moderna.
Per quali applicazioni è adatto l'OptiMOS™ 5 Power MOSFET?
Questo MOSFET è ideale per gestione dell'energia, controllo dei motori, convertitori DC-DC e altre applicazioni di alimentatori switching ad alta efficienza grazie alla sua alta capacità di corrente e alla bassa Rds(On).
Quali sono i vantaggi dell'utilizzo del MOSFET Infineon OptiMOS™ 5 rispetto ad altri tipi?
Questo MOSFET presenta perdite di conduzione ridotte, un'elevata capacità di dissipazione di potenza e un funzionamento affidabile su un ampio range di temperature, migliorando l'efficienza complessiva e la durata del sistema.
L'OptiMOS™ 5 Power MOSFET è disponibile con supporto e scorte affidabili?
Sì, il prodotto è attivamente disponibile con oltre 90.000 unità in stock, garantendo consegne tempestive e fornitura costante per i tuoi progetti, insieme a una piena conformità alle normative RoHS.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
IPT039N15N5ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPT039N15N5ATMA1 PCB symbols & footprints
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