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IPT017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
42100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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Panoramica del prodotto
12992708
Numero di Parte
IPT017N12NM6ATMA1-DGProduttore
Infineon Technologies
IPT017N12NM6ATMA1
Descrizione
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120VInventario
42100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT017N12NM6ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™ 6
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
120 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
29A (Ta), 331A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.6V @ 275µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
11000 pF @ 60 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 395W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-HSOF-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerSFN
Numero di prodotto di base
IPT017
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IPT017N12NM6
Scheda Dati HTML
IPT017N12NM6ATMA1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
448-IPT017N12NM6ATMA1TR
448-IPT017N12NM6ATMA1CT
448-IPT017N12NM6ATMA1DKR
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Assicurazione Qualità (QC)
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IPT017N12NM6ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPT017N12NM6ATMA1 PCB symbols & footprints
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