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IPT010N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
89922 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT010N08NM5ATMA1
Panoramica del prodotto
12958110
Numero di Parte
IPT010N08NM5ATMA1-DGProduttore
Infineon Technologies
IPT010N08NM5ATMA1
Descrizione
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8Inventario
89922 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT010N08NM5ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
43A (Ta), 425A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.8V @ 280µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
16000 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-HSOF-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerSFN
Numero di prodotto di base
IPT010N
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IPT010N08NM5
Scheda Dati HTML
IPT010N08NM5ATMA1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
SP005560711
448-IPT010N08NM5ATMA1DKR
448-IPT010N08NM5ATMA1TR
448-IPT010N08NM5ATMA1CT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
他們的包裝用了很多可再生材料，且完全沒有塑膠味，環保又健康，配送速度也很快，滿意！
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-Channel Infineon OptiMOS™ IPT010N08NM5ATMA1?
Questo MOSFET presenta una tensione drain-to-source di 80V, una bassa Rds On di 1,05 mΩ a 150A e supporta capacità di corrente elevata fino a 43A (Ta) e 425A (Tc). È progettato per uno switchaggio di potenza efficiente, con un package montato su superficie PG-HSOF-8 e funziona su un ampio intervallo di temperatura, da -55°C a 175°C.
Il MOSFET Infineon IPT010N08NM5ATMA1 è adatto per applicazioni di commutazione ad alta corrente?
Sì, questo MOSFET è ideale per applicazioni di commutazione ad alta corrente, con una corrente continua di drain fino a 43A a 25°C e una corrente di picco di 425A (Tc), rendendolo adatto a sistemi di gestione dell'energia e azionamenti motore di elevata richiesta.
Qual è la compatibilità di questo MOSFET con diverse tensioni di gate?
Il MOSFET supporta tensioni di drive di 6V e 10V per un funzionamento a Rds On ridotto, offrendo flessibilità nel circuito di pilotaggio della porta e garantendo prestazioni ottimali ed efficienza.
Posso acquistare questo MOSFET all'ingrosso e è disponibile con confezionamento standard?
Sì, questo prodotto è disponibile in stock con oltre 90.000 unità, confezionate in Tape & Reel (TR) per facilitare l'assemblaggio automatizzato e la gestione affidabile durante la produzione.
Quali sono le certificazioni e le conformità ambientali del MOSFET Infineon IPT010N08NM5ATMA1?
Questo MOSFET è conforme alle normative RoHS3, non soggetto a REACH e presenta un livello di sensibilità all'umidità illimitato (MSL 1), garantendo il rispetto degli standard internazionali in termini di sicurezza e tutela ambientale per i componenti elettronici.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
IPT010N08NM5ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPT010N08NM5ATMA1 PCB symbols & footprints
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