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IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
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IPP041N12N3GXKSA1
Panoramica del prodotto
12803539
Numero di Parte
IPP041N12N3GXKSA1-DGProduttore
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Descrizione
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Inventario
200457 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
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IPP041N12N3GXKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
120 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 270µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IPP041
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
Scheda Dati HTML
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET N-Channel Infineon OptiMOS™ (IPP041N12N3GXKSA1)?
Questo MOSFET supporta una tensione drain-to-source di 120V e una corrente continua di drain di 120A a 25°C, con un Rds On basso di 4,1mΩ, rendendolo adatto per applicazioni di commutazione ad alta potenza. È progettato con un package TO-220-3 per un montaggio semplice e prestazioni affidabili.
Per quali applicazioni è adatto questo MOSFET da 120V e 120A?
Questo MOSFET è ideale per convertitori di potenza, drive di motori e circuiti di commutazione ad alta corrente, dove la gestione efficiente dell’energia e le prestazioni termiche sono fondamentali. La sua robustezza garantisce durata in sistemi elettronici impegnativi.
Questo MOSFET N-Channel è compatibile con progetti elettronici esistenti?
Sì, l’IPP041N12N3GXKSA1 è compatibile con tensioni di livello di gate standard e presenta una soglia di gate di 4V, rendendolo adatto a vari schemi di alimentazione switching e sistemi embedded.
Quali sono i vantaggi di scegliere i MOSFET della serie OptiMOS™ di Infineon?
I MOSFET OptiMOS™ sono rinomati per il loro basso Rds On, alta efficienza e eccellente performance termica, contribuendo a ridurre la dissipazione di potenza e migliorare l’affidabilità complessiva del sistema.
Quale garanzia e supporto è disponibile per questo prodotto MOSFET?
In quanto prodotto attivo e conforme alle norme RoHS3, il MOSFET gode dell’assistenza del produttore e di garanzia di qualità. È fornito direttamente da magazzino, garantendo disponibilità immediata per i tuoi progetti.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
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