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IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
89922 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
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IPB65R050CFD7AATMA1

Panoramica del prodotto

12968826

Numero di Parte

IPB65R050CFD7AATMA1-DG
IPB65R050CFD7AATMA1

Descrizione

AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3

Inventario

89922 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
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IPB65R050CFD7AATMA1 Specifiche Tecniche

Categoria Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Imballaggio Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie CoolMOS™

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 650 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 45A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 24.8A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 4.5V @ 1.24mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V

Vgs (massimo) ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 4975 pF @ 400 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc)

Temperatura -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-3

Pacchetto / Custodia TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numero di prodotto di base IPB65R

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

IPB65R050CFD7A

Scheda Dati HTML

IPB65R050CFD7AATMA1-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
448-IPB65R050CFD7AATMA1CT
SP003793200
448-IPB65R050CFD7AATMA1DKR
448-IPB65R050CFD7AATMA1TR

Parti alternative

NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
IPB65R045C7ATMA2
Infineon Technologies
2663
IPB65R045C7ATMA2-DG
7.1903
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Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
하***물
dicembre 02, 2025
5.0
다양한 부품들을 폭넓게 갖추고 있어 선택의 폭이 넓습니다. 재고도 충분해서 좋습니다.
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Domande frequenti (FAQ)

Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET Infineon IPB65R050CFD7AATMA1?

L'Infineon IPB65R050CFD7AATMA1 è un MOSFET a canale N ad alte performance con una tensione nominale di 650V, una corrente di drain continua di 45A e una dissipazione di potenza fino a 227W, progettato per applicazioni di alimentazione automobilistiche.

L'Infineon IPB65R050CFD7AATMA1 è adatto per progetti elettronici automotive?

Sì, questo MOSFET è appositamente progettato per applicazioni automotive, offrendo elevata tensione e capacità di corrente, oltre a prestazioni termiche ed elettriche robuste, ideali per i sistemi di alimentazione delle vetture.

Quale tipologia di montaggio utilizza l'IPB65R050CFD7AATMA1 e è compatibile con i design di PCB a montaggio superficiale?

Questo MOSFET utilizza un package a montaggio superficiale (TO-263-3), rendendolo compatibile con le schede a montaggio superficiale comunemente usate nei progetti automotive ed elettronici.

Quali sono i vantaggi di usare i MOSFET della serie CoolMOS™, come l'IPB65R050CFD7AATMA1?

I MOSFET CoolMOS™ sono riconosciuti per la loro alta efficienza, bassa resistenza Rds(on) e prestazioni di commutazione eccellenti, contribuendo a ridurre le perdite di energia e a migliorare l'affidabilità complessiva dei sistemi di alimentazione.

Dove posso acquistare il MOSFET IPB65R050CFD7AATMA1 e quale garanzia o supporto viene offerto?

L'IPB65R050CFD7AATMA1 è disponibile in grandi quantità direttamente presso distributori autorizzati. Per dettagli su garanzia e supporto, si consiglia di consultare il rivenditore o il servizio clienti del produttore.

Assicurazione Qualità (QC)

DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.

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