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Ispezione visiva e di confezionamento
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IMZA120R007M1HXKSA1
Infineon Technologies
SIC DISCRETE
89088 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
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IMZA120R007M1HXKSA1
Panoramica del prodotto
12999225
Numero di Parte
IMZA120R007M1HXKSA1-DGProduttore
Infineon Technologies
IMZA120R007M1HXKSA1
Descrizione
SIC DISCRETEInventario
89088 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
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IMZA120R007M1HXKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
CoolSiC™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
225A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.9mOhm @ 108A, 18V
vgs(th) (massimo) @ id
5.2V @ 47mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 18 V
Vgs (massimo)
+20V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9170 nF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
750W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO247-4-8
Pacchetto / Custodia
TO-247-4
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IMZA120R007M1H
Scheda Dati HTML
IMZA120R007M1HXKSA1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
SP005425973
448-IMZA120R007M1HXKSA1
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche e specifiche del MOSFET N-Channel Infineon CoolSiC™ IMZA120R007M1HXKSA1?
Questo MOSFET in Carburo di Silicio (SiC) presenta una tensione nominale di 1200V, una corrente di drain continua di 225A a 25°C e una dissipazione di potenza fino a 750W. È progettato per commutazioni ad alta efficienza con Rds On ottimizzato (max 9,9 mOhm a 108A e 18V).
Il MOSFET discreto SIC di Infineon è compatibile con applicazioni ad alta temperatura?
Sì, questo MOSFET può operare in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e 175°C, rendendolo adatto per ambienti ad alta temperatura in elettronica di potenza e applicazioni industriali.
Come beneficia la tecnologia SiCFET questo MOSFET rispetto ai dispositivi in silicio tradizionali?
La tecnologia Silicon Carbide (SiC) offre minori perdite di commutazione, maggiore efficienza e migliori prestazioni termiche, contribuendo a ridurre i consumi energetici e a migliorare l'affidabilità del dispositivo nei sistemi di conversione di energia.
Quali opzioni di supporto e confezionamento sono disponibili per questo MOSFET e è adatto per montaggio passante?
Il MOSFET è disponibile in un package PG-TO247-4, progettato per montaggio passante, garantendo supporto meccanico robusto e una buona gestione termica per i circuiti di potenza.
Quali vantaggi offre l'acquisto di questo MOSFET direttamente dal produttore in termini di garanzia e supporto?
Acquistare direttamente da Infineon garantisce prodotti autentici di alta qualità con supporto tecnico affidabile, assicurando prestazioni ottimali e conformità agli standard internazionali come RoHS e REACH.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
IMZA120R007M1HXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1 PCB symbols & footprints
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