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IAUT300N10S5N014ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
89822 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 360A (Tj) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
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Panoramica del prodotto
12968958
Numero di Parte
IAUT300N10S5N014ATMA1-DGProduttore
Infineon Technologies
IAUT300N10S5N014ATMA1
Descrizione
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8Inventario
89822 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 360A (Tj) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
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IAUT300N10S5N014ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
360A (Tj)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.8V @ 275µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
216 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
16011 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-HSOF-8-1
Pacchetto / Custodia
8-PowerSFN
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IAUT300N10S5N014
Scheda Dati HTML
IAUT300N10S5N014ATMA1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
448-IAUT300N10S5N014ATMA1DKR
SP005427384
448-IAUT300N10S5N014ATMA1TR
448-IAUT300N10S5N014ATMA1CT
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dicembre 02, 2025
メールでの連絡も迅速で、配送日時について柔軟に対応してもらえました。
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET N-Channel Infineon OptiMOS™?
Il MOSFET offre una tensione drain- source di 100V, una corrente continua di drain di 360A, una resistenza Rds On di 1,4 mΩ e una dissipazione di potenza massima di 375W, rendendolo adatto per applicazioni di commutazione ad alta corrente.
Questo MOSFET è compatibile con la progettazione di circuiti a montaggio superficiale?
Sì, si tratta di un dispositivo a montaggio superficiale con package PG-HSOF-8-1, progettato per una facile integrazione su schede a montaggio superficiale.
Quali sono le applicazioni più adatte per questo MOSFET da 100V e 360A?
Questo MOSFET ad alta corrente è ideale per alimentatori, controllo motori e altre applicazioni di commutazione ad alta potenza dove è richiesta un’efficienza elevata.
Qual è l’intervallo di temperatura operativa massimo per questo MOSFET?
Il MOSFET può funzionare in un intervallo di temperatura da -55°C a 175°C, adatto per diversi ambienti industriali ed elettronici.
Questo MOSFET è conforme agli standard RoHS e REACH?
Sì, il MOSFET è conforme alla direttiva RoHS3 e non è soggetto a REACH, garantendo un uso ecocompatibile e più sicuro.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
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Infineon Technologies IAUT300N10S5N014ATMA1 PCB symbols & footprints
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