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IAUC120N04S6L005ATMA1
Infineon Technologies
IAUC120N04S6L005ATMA1
1000400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 120A (Tj) 187W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-53
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IAUC120N04S6L005ATMA1
Panoramica del prodotto
12980260
Numero di Parte
IAUC120N04S6L005ATMA1-DGProduttore
Infineon Technologies
IAUC120N04S6L005ATMA1
Descrizione
IAUC120N04S6L005ATMA1Inventario
1000400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 120A (Tj) 187W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-53
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IAUC120N04S6L005ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.55mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 130µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
11203 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
187W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8-53
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
IAUC120
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IAUC120N04S6L005
Scheda Dati HTML
IAUC120N04S6L005ATMA1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
448-IAUC120N04S6L005ATMA1CT
448-IAUC120N04S6L005ATMA1DKR
SP001723538
448-IAUC120N04S6L005ATMA1TR
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5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
手頃な価格とエコな梱包に感動しました。
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali e le specifiche del MOSFET Infineon IAUC120N04S6L005ATMA1?
L'IAUC120N04S6L005ATMA1 è un MOSFET a canale N, con una tensione nominale di 40V, una corrente di drenaggio continua di 120A e una dissipazione di potenza di 187W. Presenta un Rds(on) basso di 0,55 mΩ a 60A e 10V, rendendolo ideale per applicazioni ad alta potenza.
Il MOSFET Infineon IAUC120N04S6L005ATMA1 è adatto all’uso automotive?
Sì, questo MOSFET è certificato per applicazioni automotive e conforme allo standard AEC-Q101, garantendo affidabilità e prestazioni affidabili in ambienti automobilistici.
Quali sono i requisiti di compatibilità e tensione di pilotaggio per questo MOSFET?
Il MOSFET può essere pilotato con una tensione Vgs massima di 16V, con una tensione di pilotaggio consigliata tra 4,5V e 10V. È compatibile con le tensioni di gate driver standard utilizzate nei sistemi di gestione dell’energia.
Come favorisce il tipo di confezionamento e montaggio questo MOSFET nella produzione?
Il MOSFET è confezionato in formato Tape & Reel (TR) con case PowerTDFN a 8 pin, progettato per il montaggio superficiale. Ciò semplifica l'assemblaggio automatizzato e garantisce un’installazione sicura in dispositivi compatti.
Che tipo di supporto post-vendita e disponibilità di magazzino si può aspettare per questo MOSFET?
Il prodotto è attivo con oltre 1,2 milioni di unità disponibili in stock, offerto come nuovo e originale, assicurando consegne rapide. I dettagli sul supporto e sulla garanzia sono disponibili tramite il fornitore, per un servizio post-acquisto affidabile.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
IAUC120N04S6L005ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IAUC120N04S6L005ATMA1 PCB symbols & footprints
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