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IAUC100N04S6N022ATMA1
Infineon Technologies
IAUC100N04S6N022ATMA1
1000200 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
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IAUC100N04S6N022ATMA1
Panoramica del prodotto
12954108
Numero di Parte
IAUC100N04S6N022ATMA1-DGProduttore
Infineon Technologies
IAUC100N04S6N022ATMA1
Descrizione
IAUC100N04S6N022ATMA1Inventario
1000200 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
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IAUC100N04S6N022ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.26mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 32µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2421 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
IAUC100
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IAUC100N04S6N022
Scheda Dati HTML
IAUC100N04S6N022ATMA1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
448-IAUC100N04S6N022ATMA1CT
SP001790496
448-IAUC100N04S6N022ATMA1TR
448-IAUC100N04S6N022ATMA1DKR
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Qual è la funzione principale del MOSFET Infineon IAUC100N04S6N022ATMA1?
Il MOSFET Infineon IAUC100N04S6N022ATMA1 è un MOSFET a canale N progettato per applicazioni di commutazione, capace di gestire correnti elevate fino a 100A e tensioni fino a 40V, rendendolo adatto a usi nel settore automotive e nella gestione dell'energia.
L'IAUC100N04S6N022ATMA1 è adatto alle applicazioni automotive?
Sì, questo MOSFET è qualificato secondo gli standard AEC-Q101 ed è appositamente progettato per ambienti automobilistici, garantendo affidabilità e prestazioni in condizioni exigenti.
Quali sono le principali specifiche elettriche di questo MOSFET?
Il dispositivo ha una tensione drain-source di 40V, un Rds(on) di 2,26 milliohm a 50A e 10V, e una corrente continua di drain massima di 100A a 25°C, offrendo un'alta efficienza per le applicazioni di commutazione di potenza.
Come influisce l'impiantistica del packaging IAUC100N04S6N022ATMA1 sull'installazione?
Questo MOSFET viene fornito in un packaging Tape & Reel (TR) con un case 8-PowerTDFN, compatibile con l'assemblaggio a superficie su schede a circuito stampato, facilitando i processi di produzione automatica.
Quali sono i vantaggi nel scegliere questo MOSFET rispetto ad altri tipi?
Questo MOSFET offre un Rds(on) basso, un'alta capacità di corrente e un intervallo di temperatura operativa robusto da -55°C a 175°C, garantendo un controllo efficiente dell'energia e una lunga durabilità in applicazioni esigenti.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
IAUC100N04S6N022ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IAUC100N04S6N022ATMA1 PCB symbols & footprints
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