Prevenzione di contraffazione e difetti
Ispezione visiva e di confezionamento
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FS03MR12A6MA1LB
Infineon Technologies
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
36100 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
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FS03MR12A6MA1LB
Panoramica del prodotto
12963909
Numero di Parte
FS03MR12A6MA1LB-DGProduttore
Infineon Technologies
FS03MR12A6MA1LB
Descrizione
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDDInventario
36100 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
Quantità
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Pagamento Sicuro e Flessibile
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FS03MR12A6MA1LB Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Imballaggio
-
Serie
HybridPACK™
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Configurazione
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
400A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 400A, 15V
vgs(th) (massimo) @ id
5.55V @ 240mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
1320nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
42600pF @ 600V
Potenza - Max
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto / Custodia
Module
Pacchetto dispositivo fornitore
AG-HYBRIDD-2
Numero di prodotto di base
FS03MR12
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
FS03MR12A6MA1LB
Scheda Dati HTML
FS03MR12A6MA1LB-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
6
Altri nomi
448-FS03MR12A6MA1LB
SP002725554
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Qual è la tensione di alimentazione del array di MOSFET Infineon FS03MR12A6MA1LB?
L'array di MOSFET ha una tensione drain-to-source (Vdss) di 1200V (1,2 kV), adatta per applicazioni di alimentazione ad alta tensione.
L'array di MOSFET ibrido Infineon è compatibile con applicazioni ad alta corrente?
Sì, questo array di MOSFET può gestire una corrente continua di drain fino a 400A a 25°C, rendendolo ideale per l'elettronica di potenza ad alta corrente.
Quali sono i principali vantaggi nell’utilizzo di MOSFET in Carburo di Silicio (SiC) come la serie HybridPACK™?
I MOSFET in Carburo di Silicio offrono maggiore efficienza, velocità di commutazione più elevate e migliori prestazioni termiche rispetto ai dispositivi in silicio tradizionali, migliorando l'affidabilità complessiva del sistema.
L'array di MOSFET Infineon può essere utilizzato in azionamenti industriali e convertitori di potenza?
Sì, l'FS03MR12A6MA1LB è progettato per applicazioni ad alta tensione e alta corrente, come azionamenti industriali, inverter di potenza e altri sistemi di conversione di energia.
Qual è il tipo di montaggio e il package di questo modulo MOSFET, ed è conforme alle norme RoHS?
L'array di MOSFET è un modulo da montare su chassis con package AG-HYBRIDD-2, ed è conforme alla direttiva RoHS3, garantendo standard di produzione ecocompatibili.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
FS03MR12A6MA1LB CAD Models
Infineon Technologies FS03MR12A6MA1LB PCB symbols & footprints
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