BSZ0909LSATMA1 Infineon Technologies
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BSZ0909LSATMA1

Panoramica del prodotto

12943184

Numero di Parte

BSZ0909LSATMA1-DG
BSZ0909LSATMA1

Descrizione

MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON

Inventario

4784 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 19A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Quantità
Minimo 1

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Disponibile (Tutti i prezzi sono in USD)
  • QTA Prezzo Obiettivo Prezzo Totale
  • 1 0.76 0.76
  • 10 0.65 6.52
  • 100 0.46 46.14
  • 500 0.38 188.66
  • 1000 0.33 328.12
  • 2000 0.30 590.67
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BSZ0909LSATMA1 Specifiche Tecniche

Categoria FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Imballaggio Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie OptiMOS™ 5

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 30 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 19A (Ta), 40A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 2V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V

Vgs (massimo) ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 1700 pF @ 15 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) -

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8 FL

Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN

Numero di prodotto di base BSZ0909

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

BSZ0909LS

Scheda Dati HTML

BSZ0909LSATMA1-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
448-BSZ0909LSATMA1CT
448-BSZ0909LSATMA1TR
SP005424000
448-BSZ0909LSATMA1DKR
Certificazione DIGI
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