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BSZ0804LSATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
1000400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
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BSZ0804LSATMA1
Panoramica del prodotto
12975911
Numero di Parte
BSZ0804LSATMA1-DGProduttore
Infineon Technologies
BSZ0804LSATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSONInventario
1000400 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
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BSZ0804LSATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™ 5
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.3V @ 36µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2100 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8 FL
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
BSZ0804
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
BSZ0804LS
Scheda Dati HTML
BSZ0804LSATMA1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
SP001648318
448-BSZ0804LSATMA1DKR
448-BSZ0804LSATMA1CT
448-BSZ0804LSATMA1TR
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del MOSFET Infineon BSZ0804LSATMA1?
Il BSZ0804LSATMA1 è un MOSFET a canale N progettato per alta efficienza, con una tensione drain-to-source di 100V, una corrente di scarico continua fino a 40A a temperatura Tc, e una bassa resistanza Rds(on) di 9,6 mΩ. È dotato di un package montato su superficie PG-TDSON-8 e supporta un intervallo di temperatura di funzionamento da -55°C a 150°C.
Il MOSFET Infineon BSZ0804LSATMA1 è adatto per applicazioni di elettronica di potenza?
Sì, questo MOSFET è ideale per diverse applicazioni di elettronica di potenza come azionamenti motore, alimentatori e convertitori DC-DC, grazie alla sua alta capacità di corrente, alla bassa Rds(on) e alle elevate capacità di dissipazione termica.
Qual è la compatibilità e la tensione di esercizio del MOSFET BSZ0804LSATMA1?
Il MOSFET ha una tensione drain-to-source massima di 100V e può essere comandato con una tensione di gate tra 4,5V e 10V, rendendolo compatibile con i sistemi di gestione dell’energia standard.
Quali sono i vantaggi di scegliere il MOSFET della serie OptiMOS™ 5 di Infineon?
La serie OptiMOS™ 5 offre una resistanza Rds(on) molto bassa, alta efficienza e eccellenti performance termiche, contribuendo a ridurre le perdite di potenza e migliorare l’affidabilità complessiva dei tuoi progetti elettronici.
Posso acquistare il MOSFET BSZ0804LSATMA1 in quantità maggiori e quali sono le condizioni di garanzia?
Sì, questo MOSFET è disponibile in grandi quantità, con oltre 1 milione di pezzi in stock, ed è coperto da garanzia e supporto del produttore, garantendo qualità e affidabilità nella fornitura per i tuoi progetti.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
BSZ0804LSATMA1 CAD Models
Infineon Technologies BSZ0804LSATMA1 PCB symbols & footprints
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