ICE10N60 IceMOS Technology
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ICE10N60

Panoramica del prodotto

12990386

Numero di Parte

ICE10N60-DG
ICE10N60

Descrizione

Superjunction MOSFET

Inventario

25100 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 600 V 10A (Tc) 95W (Tc) Through Hole TO-220
Quantità
Minimo 1

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Disponibile (Tutti i prezzi sono in USD)
  • QTA Prezzo Obiettivo Prezzo Totale
  • 50 1.6600 83.1900
  • 250 1.5400 385.9500
  • 500 1.4300 714.4000
  • 1000 1.3300 1330.0000
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ICE10N60 Specifiche Tecniche

Categoria FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore IceMOS Technology

Imballaggio Tube

Serie -

Stato del prodotto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss) 600 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 10A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 5A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 3.9V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V

Vgs (massimo) ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 1250 pF @ 25 V

Funzione FET -

Dissipazione di potenza (max) 95W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore TO-220

Pacchetto / Custodia TO-220-3

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

ICE10N60

Scheda Dati HTML

ICE10N60-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
5133-ICE10N60
Certificazione DIGI
Blog e Post