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GP2T080A120U
SemiQ
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
68656 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-247-3
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GP2T080A120U
Panoramica del prodotto
12973184
Numero di Parte
GP2T080A120U-DGProduttore
SemiQ
GP2T080A120U
Descrizione
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3LInventario
68656 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-247-3
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GP2T080A120U Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 10mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1377 pF @ 1000 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
188W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
GP2T080A
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
GP2T080A120U
Scheda Dati HTML
GP2T080A120U-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
1560-GP2T080A120U
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GP2T080A120U CAD Models
SemiQ GP2T080A120U PCB symbols & footprints
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