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EPC2019
EPC
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
1380 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 200 V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
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EPC2019
Panoramica del prodotto
12795224
Numero di Parte
EPC2019-DGProduttore
EPC
EPC2019
Descrizione
GANFET N-CH 200V 8.5A DIEInventario
1380 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 200 V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
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EPC2019 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
eGaN®
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 7A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 1.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
2.9 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
288 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
Die
Pacchetto / Custodia
Die
Numero di prodotto di base
EPC20
Scheda dati e documenti
Schede dati
Scarica EPC2019 Specifiche del prodotto (PDF)
Schede tecniche
EPC2019
Scheda Dati HTML
EPC2019-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
917-1087-1
917-1087-2
917-1087-6
Parti alternative
NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le caratteristiche principali del GaN FET EPC2019?
L'EPC2019 è un transistor a effetto campo (FET) GaN a canale N con una tensione nominale di 200 V e una corrente continua di drain di 8,5 A. È progettato per commutazioni di potenza ad alta efficienza, con bassa Rds(on) e capacità di commutazione rapida.
Per quali applicazioni è adatto il GaN FET EPC2019?
Questo GaN FET è ideale per convertitori di potenza, azionamenti di motori e circuiti di commutazione ad alta frequenza che richiedono componenti MOSFET compatti, ad alte prestazioni e con alte tensioni nominali.
L'EPC2019 è compatibile con i progetti standard di PCB a montaggio superficiale?
Sì, l'EPC2019 utilizza un package a montaggio superficiale, rendendolo adatto per il montaggio su PCB standard e per design elettronici compatti.
Come si confronta l'EPC2019 con i tradizionali MOSFET in silicio in termini di prestazioni?
Rispetto ai MOSFET in silicio, l'EPC2019 offre una Rds(on) inferiore, velocità di commutazione più elevate e maggiore efficienza grazie alle proprietà della tecnologia Gallium Nitride, riducendo le perdite di potenza e la generazione di calore.
Quali opzioni di garanzia e supporto sono disponibili per il GaN FET EPC2019?
L'EPC2019 è venduto come prodotto nuovo e originale, con approvvigionamento affidabile; per informazioni dettagliate sulla garanzia e il supporto tecnico, si contatti il fornitore o il distributore autorizzato.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
EPC2019 CAD Models
EPC EPC2019 PCB symbols & footprints
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