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AONR32318
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
N
30200 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3.3x3.3)
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AONR32318
Panoramica del prodotto
13003885
Numero di Parte
AONR32318-DGProduttore
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AONR32318
Descrizione
NInventario
30200 Pz Nuovo Originale Disponibile
N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3.3x3.3)
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AONR32318 Specifiche Tecniche
Categoria
Transistor, FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6360 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
56W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-DFN-EP (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia
8-PowerWDFN
Numero di prodotto di base
AONR323
Scheda dati e documenti
Schede dati
Scarica AONR32318 Specifiche del prodotto (PDF)
Schede tecniche
AONR32318
Scheda Dati HTML
AONR32318-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
785-AONR32318DKR
785-AONR32318TR
5202-AONR32318TR
785-AONR32318CT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
dicembre 02, 2025
スタッフが親切で安心して相談できました。発送も遅れることなく、いつも信頼しています。
dicembre 02, 2025
I appreciate DiGi Electronics for their transparent pricing, which makes budgeting much easier.
dicembre 02, 2025
The after-sales team proactively checks on customers to ensure ongoing satisfaction.
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Domande frequenti (FAQ)
Quali sono le principali caratteristiche del MOSFET N-Channel AONR32318?
Il AONR32318 è un MOSFET N-Channel ad alte prestazioni con una tensione drain-to-source di 30V, una corrente continua di 50A e un Rds On basso di 2,2mΩ a 20A e 10V, ideale per applicazioni di alimentazione ad alta efficienza.
Il AONR32318 è compatibile con design PCB a montaggio superficiale?
Sì, il AONR32318 è disponibile in un package a montaggio superficiale 8-DFN-EP, rendendolo perfetto per design di PCB compatti, salvaspazio e facili da assemblare.
Quali sono le gamme di temperatura di funzionamento del MOSFET AONR32318?
Questo MOSFET funziona efficacemente tra -55°C e 150°C, adatto per diverse applicazioni industriali e di elettronica di consumo.
Come si comporta il AONR32318 in termini di dissipazione di potenza ed efficienza?
Con una dissipazione di potenza massima di 56W a Tc, il AONR32318 offre prestazioni termiche eccellenti, supportando circuiti ad alta corrente e alta potenza.
Il AONR32318 è conforme a RoHS e altri standard ambientali?
Sì, il AONR32318 è conforme alle normative RoHS3 e non è influenzato dalle direttive REACH, garantendo il rispetto dei requisiti di sicurezza ambientale per i mercati mondiali.
Assicurazione Qualità (QC)
DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.
AONR32318 CAD Models
Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR32318 PCB symbols & footprints
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