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AO6602G
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 6TSOP
30200 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 3.5A (Ta), 2.7A (Ta) 1.15W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
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AO6602G

Panoramica del prodotto

13003947

Numero di Parte

AO6602G-DG
AO6602G

Descrizione

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 6TSOP

Inventario

30200 Pz Nuovo Originale Disponibile
Mosfet Array 30V 3.5A (Ta), 2.7A (Ta) 1.15W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
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  • 1 0.3615 0.3615
  • 200 0.1443 28.8600
  • 500 0.1394 69.7000
  • 1000 0.1371 137.1000
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AO6602G Specifiche Tecniche

Categoria Transistor, FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET

Imballaggio Tape & Reel (TR)

Serie -

Stato del prodotto Active

Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)

Configurazione N and P-Channel

Funzione FET Standard

Tensione da drain a source (Vdss) 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C 3.5A (Ta), 2.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id 2.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs 4.05nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds 210pF @ 15V

Potenza - Max 1.15W (Ta)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio Surface Mount

Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP

Numero di prodotto di base AO660

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

AO6602G

Scheda Dati HTML

AO6602G-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS ROHS3 Compliant
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
5202-AO6602GTR
785-AO6602GTR

Parti alternative

NUMERO DI PARTE
FABBRICANTE
QUANTITÀ DISPONIBILE
NUMERO DI PEZZO
PREZZO UNITARIO
TIPO DI SOSTITUZIONE
PJS6603_S2_00001
Panjit International Inc.
37682
PJS6603_S2_00001-DG
0.0405
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dicembre 02, 2025
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Domande frequenti (FAQ)

Quali sono le principali caratteristiche e specifiche dell'array di MOSFET AO6602G?

L'AO6602G è un array di MOSFET a montaggio superficiale con canale N/P, funzionante a 30V, con una corrente di drain continua di 3,5A e una dissipazione di potenza massima di 1,15W, ideale per diverse applicazioni elettroniche. Presenta una bassa Rds(on) di 50mΩ a 3,5A, garantendo un'alta efficienza. Il suo intervallo di temperatura di esercizio va da -55°C a 150°C, rendendolo versatile per ambienti differenti.

L'array di MOSFET AO6602G è compatibile con i layout standard di PCB a montaggio superficiale?

Sì, l'AO6602G è disponibile in un package SC-74 (SOT-457), progettato per la tecnologia a montaggio superficiale, che lo rende compatibile con i processi di assemblaggio PCB standard e i layout comunemente usati. È ideale per dispositivi elettronici compatti che richiedono una commutazione di potenza efficiente.

A quali applicazioni è adatto l'array di MOSFET AO6602G?

L'AO6602G è adatto per la gestione dell'alimentazione, lo switch di carico, la gestione delle batterie e i circuiti di controllo motore. La sua configurazione a doppio canale N/P consente un uso versatile in circuiti elettronici che richiedono componenti di commutazione efficienti e affidabili.

L'array di MOSFET AO6602G è conforme agli standard RoHS e REACH?

Sì, l'AO6602G è conforme alla direttiva RoHS3 e non incide su REACH, garantendo il rispetto delle normative ambientali e di sicurezza per i componenti elettronici. È adatto per l'uso in progetti di prodotti eco-compatibili.

Dove posso acquistare l'array di MOSFET AO6602G e qual è il supporto post-vendita?

L'AO6602G è disponibile in stock con oltre 30.000 unità. È possibile acquistarlo da distributori autorizzati o fornitori di componenti elettronici. Per supporto post-vendita e richieste tecniche, contatta direttamente il tuo rivenditore per assicurarti un'installazione corretta e servizi di garanzia.

Assicurazione Qualità (QC)

DiGi garantisce la qualità e l'autenticità di ogni componente elettronico attraverso ispezioni professionali e campionamenti di lotto, garantendo forniture affidabili, prestazioni stabili e conformità alle specifiche tecniche, aiutando i clienti a ridurre i rischi nella catena di approvvigionamento e a utilizzare con fiducia i componenti in produzione.

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